フォトレジスト用

明和化成のフォトレジスト用ベース樹脂はお客様のニーズに合わした製品づくりを行っております。
また記載グレード以外もオーダーメイド対応しております。
m-Cresol/p-Cresol比、分子量、DR、またはクレゾール以外のフェノール性モノマーや、ホルムアルデヒド以外の架橋体を配合した樹脂につきましても、お客様のご要望に応じたサンプル試作も可能です。
また、要求特性に応じたカスタマイズも可能ですのでお気軽にお声掛けください。

フォトレジスト用ベース樹脂

m/p比 分子量Mw [ - ] DR[Å/s] 特長
80/20 2400~2900 3400~4600  
3800~4600 1700~2300  
50/50 9000~11000 220~280  
12000~15000 130~170  
16000~20000 85~115  
40/60 3100~3800 950~1250  
5300~6400 280~380  
3700~4500 680~920 ダイマー5%>
4700~5700 340~460 ダイマー5%>
※ 現像液 2.38%TMAH
フォトレジストとは

“レジスト”とは「抵抗する」「耐える」といった意味であり、製品としては「酸やアルカリなどの化学処理に耐える物質」という意味になります。
フォトレジストは、半導体や液晶パネルの製造工程で、回路パターンを形成する材料として使用されている。
フォトレジストは光を照射すると物理的・化学的変化を生じ、この原理を利用して回路パターンを形成します。
具体的には、フォトレジストを塗布し、フォトマスクを通して露光します。
これで転写され回路パターンが形成されます。
パターン露光された部分が現像でなくなるポジレジストと露光部分が残るネガレジストの二種類があります。

レジストについて (液晶用としての使われ方)

フォトレジストは,TFT素子や透明電極をガラス基板上に作成する為に使用されます。
フォトレジストのベース樹脂として、フェノール樹脂が用いられています。



※上記データは代表値であり、保証値ではありません。